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MJ11033G-Luftfahrt-Teile Darlington Emitter Transistors 5V

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xMFR | onsemi | Produkt-Kategorie | Darlington Transistors |
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Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal | 120 V | Emitter-niedrige Spannung VEBO | 5 V |
Kollektor-Basis-Spannung VCBO | 120 V | Maximaler DC-Kollektorstrom | 50 A |
PD - Verlustleistung | 300 W | Befestigung von Art | Durch Loch |
Paket/Fall | TO-204-2 (TO-3) | Minimale Betriebstemperatur | - 55 C |
Hervorheben | Luftfahrt-Teile Darlington Emitter,Luftfahrt-Teile 5V,MJ11033G |
Emitter-niedrige Spannung 5 V der Luftfahrt-Teil-MJ11033G Darlington Transistors
Beschreibungen von Luftfahrt-Teilen:
Sind ergänzende Silikon-Leistungstransistoren High−Current für Gebrauch als Ausgabegeräte in den ergänzenden universellen Verstärkeranwendungen.
Eigenschaften von Luftfahrt-Teilen:
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• Hohes Gleichstromverstärkung − hFE = 1000 (Minute) @ IC = ADC 25
hFE = 400 (Minute) @ IC = ADC 50
• Kurven bis 100 A (pulsiert)
• Dioden-Schutz zu bewertetem IC
• Monolithischer Bau mit Shunt Built−In Base−Emitter
• Grenzschichttemperatur zu +200C
• Pb−Free-Pakete sind Available*
Spezifikationen von Luftfahrt-Teilen:
Produkteigenschaft | Attribut-Wert |
Hersteller: | onsemi |
Produkt-Kategorie: | Darlington Transistors |
RoHS: | Details |
Konfiguration: | Einzeln |
Transistor-Polarität: | PNP |
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal: | 120 V |
Emitter-niedrige Spannung VEBO: | 5 V |
Kollektor-Basis-Spannung VCBO: | 120 V |
Maximaler DC-Kollektorstrom: | 50 A |
PD - Verlustleistung: | 300 W |
Befestigung von Art: | Durch Loch |
Paket/Fall: | TO-204-2 (TO-3) |
Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
Normalbetriebshöchsttemperatur: | + 150 C |
Reihe: | MJ11033 |
Verpacken: | Behälter |
Marke: | onsemi |
Ununterbrochener Kollektorstrom: | 50 A |
DC-Kollektor/niedrige Gewinn hfe Minute: | 400, 1000 |
Höhe: | 8,51 Millimeter |
Länge: | 38,86 Millimeter |
Produkt-Art: | Darlington Transistors |
Fabrik-Satz-Quantität: | 100 |
Unterkategorie: | Transistoren |
Breite: | 26,67 Millimeter |
Stückgewicht: | 0,495987 Unze |
