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Luftfahrt-Teile IRFR9214PBF Durchbruchsspannung MOSFET P-Chan Abfluss-Quell250 V
| Modellnummer | IRFR9214PBF |
|---|---|
| Min Bestellmenge | PC 1 |
| Preis | Verhandlungsfähig |
| Verpackung Informationen | Kästen |
| Zahlungsbedingungen | L/C, T/T |
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xProduktdetails
| Hersteller | VISHAY | Produkt-Kategorie | MOSFET |
|---|---|---|---|
| Technologie | Si | Befestigung von Art | SMD/SMT |
| Paket/Fall | TO-252-3 | Transistor-Polarität | P-Kanal |
| Identifikation - Ununterbrochener Abfluss-Strom | 2,7 A | Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell | 3 Ohm |
| Hervorheben | IRFR9214PBF Luftfahrtteile,250 V Luftfahrtteile,250 V IRFR9214PBF MOSFET |
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Produkt-Beschreibung
Aviation Parts IRFR9214PBF MOSFET P-Chan Drain-Source Durchbruchspannung 250 V
Beschreibungen von Luftfahrtteilen:
Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen.Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.Der DPAK ist für die Oberflächenmontage mithilfe von Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken konzipiert.Die Version mit geradem Anschluss (Serie IRFU, SiHFU) ist für Durchsteckmontageanwendungen vorgesehen.In typischen Oberflächenmontageanwendungen sind Verlustleistungen von bis zu 1,5 W möglich.
Merkmale von Luftfahrtteilen:
- Fortschrittliche Prozesstechnologie
- Vollständig lawinensicher
- Oberflächenmontage (IRFR9214, SiHFR9214)
- Gerade Leitung (IRFU9214, SiHFU9214)
- P-Kanal
- Schnelles Umschalten
Spezifikationen von Luftfahrtteilen:
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket/Koffer: | TO-252-3 |
| Transistorpolarität: | P-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 250 V |
| Id – Dauerstrom: | 2,7 A |
| Rds On – Drain-Source-Widerstand: | 3 Ohm |
| Vgs – Gate-Source-Spannung: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 4 V |
| Qg - Gate-Ladung: | 14 nC |
| Mindestbetriebstemperatur: | - 55 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
| Pd - Verlustleistung: | 50 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Serie: | IRFR/U |
| Verpackung: | Rohr |
| Marke: | Vishay Semiconductors |
| Aufbau: | Einzel |
| Höhe: | 2,38 mm |
| Länge: | 6,73 mm |
| Produktart: | MOSFET |
| Werkspackungsmenge: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Breite: | 6,22 mm |
| Gewichtseinheit: | 0,011640 Unzen |
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